我们用区域熔炼法把锗提纯到了百亿分之一。
但硅的表面张力和液态密度特性，导致区域熔炼在硅身上效果极差，熔区容易断裂崩塌。
我们必须寻找新的单晶生长方法。”
“第三，加工难。
硅的硬度远高于锗，且极度脆硬，金刚石切割时容易产生微观裂纹。
而它表面在空气中极易形成一层致密的二氧化硅绝缘层，这会阻碍后续的杂质掺杂扩散。”
从锗到硅的跨越，不是简单的材料替换，而是一场要求大西北整个冶金、化工和精密机械体系进行全面升维的工业长征。
任务下达，大西北的微观机器开始全速运转。
第一关：寻找能够装下液态硅的容器。
高纯度硅的熔炼不能使用金属坩埚，那会直接将铁、镍等金属原子污染进去。
普通的氧化铝陶瓷在高温硅液面前也会发生反应。
西京特种玻璃厂和硅酸盐研究所接到了死命令：制造高纯度石英坩埚。
原料不是普通的石英砂，而是从特定矿区开采的水晶原矿。
工人们在全封闭的防尘车间内，将水晶块进行反复的酸洗、水洗去离子化，去除表面的碱金属离子。
随后破碎成微米级的粉末。
在电弧熔炼炉中，利用碳电极产生的数千度高温电弧，在真空环境下将石英粉末融化。
此时，石英呈现出极其粘稠的玻璃态。
利用旋转的石墨模具，在离心力的作用下，将液态石英甩向模具内壁，成型为碗状的坩埚。
但这种坩埚内部含有大量微小的气泡。
在拉制单晶时，气泡破裂会扰乱硅液的流场。
工程师们采用了真空脱气技术。
在坩埚成型的高温阶段，强行抽出内部气体，使其变成透明、无气泡的透明石英玻璃坩埚。
其内部杂质浓度被严格控制在百万分之几级别。
即使是高纯度石英，在接触到一千四百度的高温硅液时，依然会发生微弱的反应，导致少量的氧原子进入硅液中。
但这是在当时的材料科学下，唯一能够勉强维持平衡的妥协方案。
既然水平方向的区域熔炼法对硅失效，物理学家们将目光转向了垂直方向的直拉法。
一九四八年十一月。
西京第九特种半导体制造厂，直拉单晶车间。
车间内被一种类似于潜水艇内部的压抑感所笼罩。
中央矗立着一台高达三米的单晶炉。
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